他，脚踏实地，埋头苦干，在第一代、第二代和第三代半导体硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓和碳化硅微波射频和功率电子芯片的研发方面积累了丰富的经验。

　　他，主持参与了多项工艺技术和产品的开发，建立了十几套化合物芯片生产的标准工艺平台，研制的产品达到了国际先进水平，获得了良好的市场效果。特别是氮化镓5G功放芯片性能和可靠性及批产能力在国际竞争中处于领先地位，氮化镓芯片在军民两个市场获得巨大突破。

　　他就是2020年集团公司科技领军人物——张力江。

　　2004年，张力江硕士毕业进入13所，自此之后，他就奋斗在半导体工艺线的最前沿。从基础芯片工艺做起，为了缩小与国内外领先技术的差距，他从芯片工艺线的实际出发，谋划每一个工艺平台的工艺路线。通过自身的刻苦钻研和借鉴行业的先进理念，张力江深挖工艺细节，从深层次分析研究工艺，解决工艺难点，夯实基础。在开发高性能工艺平台的同时，注重兼顾可批产性，实现了研发到生产的快速转产，抢占了市场先机。作为行业领军人物，张力江时刻关注行业技术发展，前瞻性地布局了多个新工艺研发方向，推进了13所半导体事业的可持续发展。

　　张力江在砷化镓芯片工艺技术方面以及功率单片、低噪声艺、多功能工艺的研发和工程化过程中做了大量研制工作，使得磷化铟工艺突破高频应用的技术瓶颈，实现了在安检设备中的工程化应用。同事在碳化硅芯片工艺技术方面，设计研发了碳化硅二极管和三极管系列化产品，通过工艺技术优化产品性能及可靠性水平均达到国际一流水平，性能指标满足市场需求。在氮化镓芯片工艺技术方面，建立了与国际先进水平同步的氮化镓工艺平台，氮化镓功率单片工艺技术进一步的优化提升，满足了工程需求。张力江带领团队深入开展了氮化镓民用基站功率管芯片研发，对标国际先进水平，通过技术和工艺创新实现了氮化镓在民用上的突破，设计研发的氮化镓芯片在性能指标和可靠性方面超越竞争对手，开始大批量应用于5G基站。

　　在不断的摸索中，张力江打造了一支技术过硬，创新能力强的工程技术团队，他带领团队围绕半导体芯片工艺技术开展研发和技术应用。目前，该团队超百人，平均年龄35岁，拥有博士、硕士学历人员比例近80%。这样一个年轻的团队，在工作中奋勇拼搏，大胆创新，敢为天下先。张力江正带领他的团队，向更高频率、更大功率、更高集成度奋进。创新发展，是他的信念；求真务实，是他的作风；进无止境，是他的追求。